| El material | Se trata de un material de cerámica, SiC, Al2O3, SiO2, Al4C3 |
|---|---|
| El color | Verde, Negro, Blanco, Gris |
| La rugosidad de la superficie | 0.3-08 Um |
| Fuerza del aislamiento | ≥15KV/mm |
| Temperatura de funcionamiento | Hasta 1000 °C |
| Durabilidad | De larga duración |
|---|---|
| Conductividad térmica | En alto. |
| Finalización de la superficie | Es muy suave. |
| Aplicación | Disposición de calor para dispositivos electrónicos |
| El color | Verde, Negro, Blanco, Gris |
| El color | Verde, Negro, Blanco, Gris |
|---|---|
| Finalización de la superficie | Es muy suave. |
| Tamaño | Disponible en varios tamaños |
| Resistencia a la corrosión | Es excelente. |
| Aislamiento eléctrico | Es bueno. |
| Compatibilidad | El uso universal |
|---|---|
| Aplicación | Disposición de calor para dispositivos electrónicos |
| El material | Cerámica, SiC, AL2O3, SIO2 |
| Durabilidad | De larga duración |
| Aislamiento eléctrico | Es bueno. |
| Conductividad térmica | En alto. |
|---|---|
| Resistencia a la corrosión | Es excelente. |
| Compatibilidad | El uso universal |
| Tamaño | Disponible en varios tamaños |
| Fuerza mecánica | En alto. |
| El material | Se trata de un material de cerámica, SiC, Al2O3, SiO2, Al4C3 |
|---|---|
| Fuerza del aislamiento | ≥15KV/mm |
| Temperatura de funcionamiento | Hasta 1000 °C |
| tamaño | Disponible en varios tamaños |
| La rugosidad de la superficie | 0.3-08 Um |
| El material | Se trata de un material de cerámica, SiC, Al2O3, SiO2, Al4C3 |
|---|---|
| tamaño | Disponible en varios tamaños |
| Durabilidad | De larga duración |
| Aplicación | Transistores, MOSFET, diodos de Schottky, IGBT, fuente de alimentación de conmutación de alta densid |
| La rugosidad de la superficie | 0.3-08 Um |
| El material | Se trata de un material de cerámica, SiC, Al2O3, SiO2, Al4C3 |
|---|---|
| El color | Verde, Negro, Blanco, Gris |
| La rugosidad de la superficie | 0.3-08 Um |
| Fuerza del aislamiento | ≥15KV/mm |
| Temperatura de funcionamiento | Hasta 1000 °C |
| Resistencia a la temperatura | Alto |
|---|---|
| Tamaño | Disponible en varios tamaños |
| Durabilidad | De larga duración |
| Peso | Peso ligero |
| Fuerza mecánica | Alto |
| El tipo | hoja termalmente conductora del silicón |
|---|---|
| Origen | Dongguan, China |
| Resistencia por volumen | 1.0*1012 Ohm/cm |
| Temperatura de conducción térmica | -40~200℃ |
| conductor termal | 4.0W.m-1.K-1 |