Compatibilidad | El uso universal |
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Aplicación | Disposición de calor para dispositivos electrónicos |
El material | Cerámica, SiC, AL2O3, SIO2 |
Durabilidad | De larga duración |
Aislamiento eléctrico | Es bueno. |
Conductividad térmica | En alto. |
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Resistencia a la corrosión | Es excelente. |
Compatibilidad | El uso universal |
Tamaño | Disponible en varios tamaños |
Fuerza mecánica | En alto. |
Resistencia a la temperatura | Alto |
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Tamaño | Disponible en varios tamaños |
Durabilidad | De larga duración |
Peso | Peso ligero |
Fuerza mecánica | Alto |
El tipo | hoja termalmente conductora del silicón |
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Origen | Dongguan, China |
Resistencia por volumen | 1.0*1012 Ohm/cm |
Temperatura de conducción térmica | -40~200℃ |
conductor termal | 4.0W.m-1.K-1 |
Aislamiento eléctrico | Es bueno. |
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Tamaño | Disponible en varios tamaños |
Durabilidad | De larga duración |
peso | Peso ligero |
Finalización de la superficie | Es muy suave. |
El material | Cerámica, SiC, AL2O3, SIO2 |
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Compatibilidad | El uso universal |
Aplicación | Disposición de calor para dispositivos electrónicos |
Finalización de la superficie | Es muy suave. |
Tamaño | Disponible en varios tamaños |
Thermal Conductivity | High |
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Corrosion Resistance | Excellent |
Heat Dissipation | Efficient |
Surface Finish | Smooth |
Mechanical Strength | High |
Conductividad térmica | 9~180 MW/m.K. |
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Página de guerra | ≤ 2‰ |
Durabilidad | De larga duración |
Resistencia a la temperatura | < 700 °C |
Fuerza mecánica | ≥3000MPa |
Disposición de calor | Eficiencia |
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El material | Se trata de un material de cerámica, SiC, Al2O3, SiO2, Al4C3 |
Durabilidad | De larga duración |
Resistencia a la temperatura | < 700 °C |
Aplicación | Transistores, MOSFET, diodos de Schottky, IGBT, fuente de alimentación de conmutación de alta densid |
Material | Se trata de un material de cerámica, SiC, Al2O3, SiO2, Al4C3 |
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Página de guerra | ≤ 2‰ |
Fuerza mecánica | ≥3000MPa |
Disposición de calor | Eficiencia |
Durabilidad | De larga duración |