Disposición de calor | Eficiencia |
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El material | Se trata de un material de cerámica, SiC, Al2O3, SiO2, Al4C3 |
Durabilidad | De larga duración |
Resistencia a la temperatura | < 700 °C |
Aplicación | Transistores, MOSFET, diodos de Schottky, IGBT, fuente de alimentación de conmutación de alta densid |
Peso | Peso ligero |
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Disposición de calor | Eficiencia |
La rugosidad de la superficie | 0.3-08 Um |
Densidad | 30,7 g/cm3 |
Fuerza del aislamiento | ≥15KV/mm |
Material | Se trata de un material de cerámica, SiC, Al2O3, SiO2, Al4C3 |
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Página de guerra | ≤ 2‰ |
Fuerza mecánica | ≥3000MPa |
Disposición de calor | Eficiencia |
Durabilidad | De larga duración |
Peso | Peso ligero |
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Tamaño | Disponible en varios tamaños |
Conductividad térmica | 9~180 MW/m.K. |
La rugosidad de la superficie | 0.3-08 Um |
Página de guerra | ≤ 2‰ |
Conductividad térmica | 9~180 MW/m.K. |
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Página de guerra | ≤ 2‰ |
Durabilidad | De larga duración |
Resistencia a la temperatura | < 700 °C |
Fuerza mecánica | ≥3000MPa |