| Disposición de calor | Eficiencia |
|---|---|
| El material | Se trata de un material de cerámica, SiC, Al2O3, SiO2, Al4C3 |
| Durabilidad | De larga duración |
| Resistencia a la temperatura | < 700 °C |
| Aplicación | Transistores, MOSFET, diodos de Schottky, IGBT, fuente de alimentación de conmutación de alta densid |
| Nombre | Partes de fundición de matriz |
|---|---|
| Parte material | Piezas de aleación de aluminio / zinc / magnesio |
| Tratamiento superficial | Revestimiento en polvo, anodización, pulido, arena, pintura, enchapado |
| Nombre del artículo | pantalla de alquiler llevada |
| Estándar de la película | Capa del polvo: 60-120 μm |
| Nombre | Partes de fundición de matriz |
|---|---|
| Material | Aluminio, cinc, magnesio, etc. |
| Método de mecanizado | Fusión a presión + mecanizado |
| Mecanizado secundario | Tapping, molienda, molienda |
| Software | CAD/CAM/CORELDRAW/PRO/E/UG/IGS/STP |
| Material | Se trata de un material de cerámica, SiC, Al2O3, SiO2, Al4C3 |
|---|---|
| Página de guerra | ≤ 2‰ |
| Fuerza mecánica | ≥3000MPa |
| Disposición de calor | Eficiencia |
| Durabilidad | De larga duración |